机译:通过切换偏置溅射改善亚微米接触孔的台阶覆盖率
机译:钼和氧化钨:高功函数宽带隙接触材料,用于硅太阳能电池的孔选择性接触
机译:使用193 nm光刻技术对80 nm以下的接触孔和沟槽进行图案化的最有效替代方法
机译:具有分析积分的3D接触孔的快速台阶覆盖模拟
机译:用于VLSI系统的LPCVD钨多层金属化。
机译:d(CTACTGCTTTAG)的NMR和分子模型分析。 d(CTAAAGCAGTAG)揭示了TpA台阶的特殊行为与其在主要凹槽中其碱基对的边对边接触有关。
机译:定制蚀刻 - 高纵横比沟槽的轮廓,以防止再填充LpCVD sirn后出现空隙
机译:CVD反应器中化学和传输现象的详细建模。应用于钨LpCVD(Gedetailleerde modellering van Chemie en Transportverschijnselen in CVD Reactoren。Toepassing op Wolfraam LpCVD)